Descripción
Protección enchufable PT con circ. protec. p/ un circ. de señal de 2 cond. flotante. Apto para HART.
Enlace al fabricante: PT 1X2-12DC-ST - Protección enchufable contra sobretensiones
Especificaciones
Notas:
 Generalidades:
 
Observación:
2021
Propiedades del artículo:
 
Tipo de producto:
Protec. contra sobretens. para téc. MSR
Familia de productos:
PLUGTRAB PT
Clase de ensayo IEC:
D1
Construcción:
Macho
Descargador verificable con CHECKMASTER a partir de la revisión de software::
Desde rev. de SW 1.00
Pares de conductores por módulo:
1
Propiedades de aislamiento:
 
Categoría de sobretensión:
III
Grado de polución:
2
Propiedades eléctricas:
 
Tensión nominal UN:
12 V DC
Datos de conexión:
 
Tipo de conexión:
Conexión por tornillo (en combinación con el elemento de base)
Rosca de tornillo:
M3
Par de apriete:
0,5 Nm
Sección de conductor flexible:
0,2 mm² ... 2,5 mm²
Sección de conductor rígido:
0,2 mm² ... 4 mm²
Sección de conductor AWG:
24 ... 12
Dimensiones:
 Esquema de dimensiones:
 
Anchura:
17,7 mm
Altura:
45 mm
Profundidad:
52 mm
Unidad de división:
1 UD
Anchura del módulo completo:
17,7 mm
Altura del módulo completo:
90 mm
Profundidad del módulo completo:
65,5 mm
Datos del material:
 
Color:
color cobre
Clase de inflamabilidad según UL 94:
V-0
Material carcasa:
PA 6.6
Propiedades mecánicas:
 Datos mecánicos:
 
Pared lateral abierta:
No
Circuito de protección:
 
Dirección de actuación:
Line-Line & Line-Signal Ground/Shield & optional Signal Ground/Shield-Earth Ground
Tensión constante máxima UC:
9 V AC
Corriente asignada:
450 mA (45 °C)
Corriente activa de servicio ICa UC:
≤ 5 µA
Corriente de conductor de protección IPE:
≤ 2 µA (con PT 1X2-BE)
Corriente de descarga nominal In (8/20) µs (conductor-conductor):
10 kA
Corriente transitoria nominal In (8/20) µs (conductor-tierra):
10 kA
Corriente transitoria de impulso Iimp (10/350) µs:
2,5 kA
Corriente de descarga total ITotal (8/20) µs:
20 kA
Corriente transitoria Imáx. (8/20) µs máximo (conductor-conductor):
10 kA
Corriente transitoria Imáx. (8/20) µs máximo (conductor-tierra):
10 kA
Corriente de impulso nominal Ian (10/1000) µs (conductor-conductor):
67 A
Limitación de la tensión de salida para 1 kV/µs, (conductor-conductor) spike:
≤ 20 V
Limitación de la tensión de salida para 1 kV/µs, (conductor-tierra) spike:
≤ 1 kV (con PT 1X2+F-BE)
Limitación de la tensión de salida para 1 kV/µs, (conductor-conductor) estática:
≤ 18 V
Limitación de la tensión de salida para 1 kV/µs, (conductor-tierra) estática:
≤ 50 V (con PT 1X2+F-BE)
Tensión residual para In (conductor-conductor):
≤ 18 V
Tensión residual para Ian (10/1000) µs (conductor-conductor):
≤ 23 V
Nivel de protección Up (conductor-conductor):
≤ 50 V (C2 - 10 kV / 5 kA)
Nivel de protección Up (conductor-tierra):
≤ 1000 V (C2-10 kV/5 kA con PT 1X2+F-BE)
Nivel de protección Up estático (conductor-conductor):
≤ 18 V (C2 - 10 kV / 5 kA)
Nivel de protección Up estático (conductor-tierra):
≤ 100 V (C2-10 kV/5 kA con PT 1X2+F-BE)
Tiempo de reacción tA (conductor-conductor):
≤ 1 ns
Tiempo de reacción tA (conductor-tierra):
≤ 100 ns
Atenuación de inserción aE, sim.:
típ. 0,1 dB (≤ 50 kHz/600 Ω)
Frecuencia límite fg (3 dB), sim. en el sistema de 50 Ω:
típ. 3 MHz
Frecuencia límite fg (3 dB), sim. en el sistema de 150 Ω:
típ. 1 MHz
Frecuencia límite fg (3 dB), sim. en el sistema de 600 Ω:
típ. 300 kHz
Capacidad (hilo-hilo):
típ. 3 nF
Capacidad (hilo-tierra):
típ. 2 pF (con PT 1X2+F-BE)
Resistencia por ruta:
2,2 Ω ±10 %
Mensaje Protección contra sobretensiones defectuosa:
ninguna
Fusible previo máximo requerido:
500 mA (T)
A prueba de sobrecorrientes momentáneas (de conductor a conductor):
C3 - 67 A
A prueba de sobrecorrientes momentáneas (puesta a tierra por conductor):
D1 - 2,5 kA
Condiciones medioambientales y de vida útil:
 Condiciones ambientales:
 
Índice de protección:
IP20
Temperatura ambiente (servicio):
-40 °C ... 85 °C
Temperatura ambiente (almacenamiento / transporte):
-40 °C ... 85 °C
Altitud:
≤ 2000 m (s. n. m.)
Normas y especificaciones:
 
Normas/disposiciones:
GB/T 3836.3
Montaje:
 
Tipo de montaje:
en elemento de base